【摘 要】
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随着半导体器件制造进入20纳米及以下技术节点，用于研发和生产线的新设备开发面临着新的挑战和要求.20纳米以下前道工艺设备的金属杂质必须满足10×(E)10的要求.对于刻蚀
【出 处】
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第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛
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随着半导体器件制造进入20纳米及以下技术节点，用于研发和生产线的新设备开发面临着新的挑战和要求.20纳米以下前道工艺设备的金属杂质必须满足10×(E)10的要求.对于刻蚀产品的研发而言，这意味着我们要研发高纯度的腔体材料，并且制定新的洁净室操作流程.我们面临的其他挑战还包括：等离子体诱发的设备损毁，关键尺寸均匀性，边缘刻蚀轮廓不均导致的器件漏电等.此次演讲将着重介绍中微电介质刻蚀产品在一些关键性能优化方面的最新进展，这些性能优化主要是为了解决逻辑和存储器件制造中新的严苛需求.此展示提供了一些实例，以阐明不同电介质刻蚀应用所面临的挑战，以及通过新的硬件设计或工艺开发、利用工艺调节机制做的优化所达到的结果.中国现已成为全球最大的半导体集成电路市场，大中华区(包括台湾)拥有最大的集成电路相关产业的市场份额.中微从研发第一代刻蚀产品开始就一直致力于开发本地的零部件供应商.在国家科技重大专项的支持下，中微将就四项关键部件及模块与国内零部件供应商合作，帮助国内零部件供应商达到先进半导体制造的要求.
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