【摘 要】
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采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关).该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作效率DC-2GHz,1GHz下插入损
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采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关).该单片开关面积1310×1250μm<2>,总栅宽36mm,工作效率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I<,L>小于0.52dB,隔离度I<,SO>大于17dB,驻波VSWR≤1.3,2GHz下I<,L>小于0.7dB,I<,SO>大于dB,驻波≤1.3,反向三阶交调P<,TOI优于64dBm,1W射频信号下的栅漏电小于20μA.连续五批共60片的统计结果表明,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低84﹪,最高96﹪;微波参数成品率在75﹪～86﹪之间,代表着国内砷化镓单片电路成品率的最高水平.
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