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Valleytronics in two‐dimensional semiconductors

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wearetian

【摘 要】

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Conventional electronics relies on intrinsic properties of electrons,i.e.either charge or spin degrees of freedom.However,breakthroughs in future electronics are likely to be levered with new paradigm

【作 者】

：

Ting Cao Baoli Liu Ji Feng Gang Wang Wenpeng Han 

【机 构】

：

International Center for Quantum Materials, Peking University, Beijing 100871, China

【出 处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年9期

【关键词】

：

valleytronics valley circular dichroism molybdenum disulphide 

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Conventional electronics relies on intrinsic properties of electrons,i.e.either charge or spin degrees of freedom.However,breakthroughs in future electronics are likely to be levered with new paradigms of operation by exploiting degrees of freedom ther than charge and spin.

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