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采用磁控溅射法制备了大面积均匀的MoS2 薄膜，实验结果显示所制备的MoS2 具有较好的结晶性，吸收光谱也在620 nm、673 nm 以及350～450 nm 波段显示出特征吸收峰，拉曼成像结果显示MoS2 薄膜具有很好的区域均匀性。
MoS2半导体薄膜的制备及其可饱和吸收特性研究
【摘 要】
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采用磁控溅射法制备了大面积均匀的MoS2 薄膜，实验结果显示所制备的MoS2 具有较好的结晶性，吸收光谱也在620 nm、673 nm 以及350～450 nm 波段显示出特征吸收峰，拉曼成像结果显示MoS2 薄膜具有很好的区域均匀性。
【机 构】
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广东工业大学先进装备与光电技术研究所,广东省广州市番禺区大学城,510006
【出 处】
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第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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