【摘 要】
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拓扑绝缘体具有绝缘的体带和类金属的边缘态和表面态.其能带可以由Z2 拓扑不变量来刻画.我们从理论上证明了在这类体系中外电场控制自旋的可能性[1-5].在本报告中,我们研究了
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,100083,北京
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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拓扑绝缘体具有绝缘的体带和类金属的边缘态和表面态.其能带可以由Z2 拓扑不变量来刻画.我们从理论上证明了在这类体系中外电场控制自旋的可能性[1-5].在本报告中,我们研究了拓扑绝缘体中电子的动力学过程,提供了一个关于边缘态/表面态物理起源的简明图像,并讨论了电子震颤等过程.和普通绝缘体中非常不同的是,自旋向上和向下的电子会向相反的方向偏转,并在样品边缘处形成边缘态.利用电场同时可以有效地实现和控制材料的拓扑相和正常相的转变.通常栅极形成的电场较弱,我们利用应变和界面电荷积累实现极强的界面电场,实现了将InN,Si,Ge 等重要的半导体材料驱动到拓扑绝缘体相.
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