SIMOX材料制作及其结构、电特性与杂质分析

来源 :中国电子学会第七届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xinhua9966

【摘要】

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用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污情况,说明了SIMOX材料顶部硅层的缺陷和残余

【作者】

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北京师范大学低能核物理所北京市辐射中心(北京) 罗晏梁宏马芙蓉李晓明陈如意夏稷卢志恒李映雪张兴王阳元

【机构】

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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室

【出处】

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中国电子学会第七届学术年会

【发表日期】

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2001年期

【关键词】

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用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污情况,说明了SIMOX材料顶部硅层的缺陷和残余氧等杂质的施主作用.要制作适合器件需要的SOI材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤.

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