氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究

来源 :第十届固体薄膜会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hejiashuo
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描述了GaN材料的主要性质及其制备方法,提出常规方法存在的问题,介绍了HVPE 方法制备厚膜氮化镓准衬底方法,综述了国内外研究进展。
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