【摘 要】
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描述了GaN材料的主要性质及其制备方法,提出常规方法存在的问题,介绍了HVPE 方法制备厚膜氮化镓准衬底方法,综述了国内外研究进展。
【机 构】
:
河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130
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描述了GaN材料的主要性质及其制备方法,提出常规方法存在的问题,介绍了HVPE 方法制备厚膜氮化镓准衬底方法,综述了国内外研究进展。
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