【摘 要】
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本文讨论了横向扩散MOS(LDMOS)场效应管的热应力故障测试实验在不同的脉冲宽度和2-D瞬态电—热—应力(ETS)效应.其结构通过采用有限元法(FEM)模型进行模拟.其测试实验系统主
【机 构】
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上海交通大学 电子信息与电气工程学院电子工程系,上海
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文讨论了横向扩散MOS(LDMOS)场效应管的热应力故障测试实验在不同的脉冲宽度和2-D瞬态电—热—应力(ETS)效应.其结构通过采用有限元法(FEM)模型进行模拟.其测试实验系统主要包括一个高功率微波信号发生器,示波器,一些衰减器和耦合器.热应力失效实验解释了一些实验现象和故障,其温度分布通过有限元程序计算.此外,实现的高功率装置的瞬态热应力分布的温度分布可以由商业软件COMSOL验证.
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