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B,C,N掺杂的BeO体系的电子结构和磁耦合研究
B,C,N掺杂的BeO体系的电子结构和磁耦合研究
来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wujunming123123
【摘 要】
:
近年来,无论是基础研究还是其应用研究,只含有s,p电子的合金的局域磁性以及磁交换机制受到了极大关注.对过渡金属掺杂的稀磁半导体的广泛研究证明,电荷掺杂引起的铁磁性可以
【作 者】
:
张莎
庞华
李发伸
【机 构】
:
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州,730000
【出 处】
:
中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
:
2012年期
【关键词】
:
过渡金属掺杂
体系
电子结构
稀磁半导体
应用研究
耦合模型
能带
局域磁性
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近年来,无论是基础研究还是其应用研究,只含有s,p电子的合金的局域磁性以及磁交换机制受到了极大关注.对过渡金属掺杂的稀磁半导体的广泛研究证明,电荷掺杂引起的铁磁性可以通过基于过渡金属与母体元素之间的p-d 以及d-d的能带互斥的能带耦合模型来解释[1,2].
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