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ZnO是一种重要的半导体材料.本文对ZnO薄膜对次晶相及其变化特征进行了研究.利用新型sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备了多元素掺杂的ZnO薄膜.并对次晶相在掺杂元素再分布中所起的作用及其对电性能的影响特征进行探讨.
ZnO压敏薄膜的晶相特征及其对电性能的影响
【摘 要】
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ZnO是一种重要的半导体材料.本文对ZnO薄膜对次晶相及其变化特征进行了研究.利用新型sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备了多元素掺杂的ZnO薄膜.并对次晶相在掺杂元素
【机 构】
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中国地质大学材料科学与化学工程学院(武汉)华中科技大学电子科学与技术系(武汉)
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会电压敏专业第十届学术年会
【发表日期】
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2003年10期
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