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本文采用带动态反应池的电感耦合等离子体质谱(DRC—ICP—MS)技术快速、准确地测定了微电子工业用半导体级磷酸样品中的痕量元素。在用常规的ICP—MS测量半导体级磷酸中痕量元素的过程申,会产生多原子离子干扰,如38ArH、40Ar、31P16OH、40Ar16O、31P16O16O、31P16O16OH、40Ar31P、40Ar18O等多原子离子会对39K、40Ca、48Ti、56Fe、63Cu、64Zn、58Ni的测定产生干扰。DRC-ICP-MS利用氨气(NH3)作为进入腔体的反应气与干扰离子产生气相化学反应,生成其它质量数的非干扰物,从而消除了磷酸基体及氩气对待测元素的干扰。本实验优化了反应气NH3的最佳流量。研究表明采用动态反应池技术能有效消除干扰,方法检出限为0.2—460ng/L,长时间相对标准偏差(RSD)小于4%,回收率在90%-110%。