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开发了一款极低热膨胀系数和中损耗的无卤高Tg 覆铜板,具有良好的耐热可靠性和很低的CTE,Z-CTE和XY-CTE 分别为1.1％和11～12ppm/℃,Df 为0.0095(10GHz),其XY-CTE 已达到普通封装基板水平,并能满足多层板的应用要求.
极低热膨胀系数和中损耗覆铜板开发及其应用研究
【摘 要】
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开发了一款极低热膨胀系数和中损耗的无卤高Tg 覆铜板,具有良好的耐热可靠性和很低的CTE,Z-CTE和XY-CTE 分别为1.1％和11～12ppm/℃,Df 为0.0095(10GHz),其XY-CTE 已达到普通
【机 构】
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国家电子电路基材工程技术研究中心,广东生益科技股份有限公司广东东莞
【出 处】
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2020年第二十一届中国覆铜板技术研讨会
【发表日期】
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2020年11期
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