溶液方法制备空穴注入层改善有机电致发光器件的稳定性

来源 :第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:c543217896chenjia
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用溶液旋涂的方法制备小分子材料4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)作为空穴传输层,在两种不同表面粗糙度的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备四种对比有机电致发光器件。实验发现用旋涂方法制的空穴注入层表面形貌明显好于真空蒸镀薄膜的表面形貌,旋涂方法制备的小分子空穴传输层能有效地减小ITO的表面形貌对器件发光性能和稳定性的影响,器件寿命增加到40 900个小时,是相应蒸镀空穴传输层器件的2.7倍。我们把器件发光性能和稳定性的提高归因于旋涂工艺提高了有机层表面形貌,减小了漏电流和黑点的形成。
其他文献
2006年,STEVE & BARRY'S集团和纽约尼克斯明星后卫马布里合作推出了定价仅为14.98美元的STARBURY ONE球鞋,这双球鞋引起的回响之大甚至让原本形象较为负面的马布里成为许多家庭
近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超品格,测得的光致发光谱和用
1891年10月18日(农历九月十六日),人民教育家陶行知在钟灵毓秀皖南黄潭源村诞生。对现实生活中贫病与痛苦的切身体验使他产生行医济世思想,参与辛亥革命地方议会与武装暴动的
EMMIT SMITH这位来自达拉斯牛仔队的传奇跑锋在自己的职业生涯中获得过包括MVP,超级碗冠军、“跑锋持球突破最长码数”记录创造考在内的无数荣誉,而作为REEBOK在90年代最重要
作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子
会议
采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜
会议
采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒
会议
Clyde,永远PUMA的王牌,但却只限于经典的单色皮料版本……但是这种“懒”是有原因的,也许PUMA是对CLYDE有足够的信心.不过,各人有各人口味,有人忠于它70年代的vintage old sk
采用MOCVD方法在蓝宝石村底上生长了A10.3Ga0.7N/ALN/In0.03Ga0.97N/GaN双异质结构,其中AIN阻挡层生长温度分别采用800℃低温和1050℃高温两种进行了对比。霍尔测试显示,AIN
会议
聚对苯撑乙烯(PPV)是最早发现的聚合物电致发光材料,其优良的光电性能受到人们广泛关注。碳纳米管是一种性能优异的纳米材料,许多研究将碳纳米管引入PPV聚合物中,希望得到性
会议