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<正> Ⅲ族氮化物半导体由于在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已经引起了人们极大的兴趣。氮化铟(InN)是低损耗高效电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料。InN、GaN和AlN的合金带隙对应于可见-近紫外光波段,因而使制
氮化铟半导体材料的光学和电学特性
【摘 要】
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<正> Ⅲ族氮化物半导体由于在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已经引起了人们极大的兴趣。氮化铟(InN)是低损耗高效电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料。InN、GaN和A
【机 构】
：
日本国立大学法人佐贺大学理工学部;
【发表日期】
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2004年期
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