N掺杂TiO2纳米管阵列的制备与性质研究

来源 :第十五届全国光散射学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fengyaoying
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文采用阳极氧化法制备了孔径为60-80nm的纳米管,孔壁厚约为20-30nm的高有序度TiO2纳米管.然后采用在浓氨水中浸泡后进行退火处理的方式,对TiO2纳米管进行N掺杂,并利用SEM、XRD、Raman和XPS对样品的形貌与结构进行了研究.结果显示,掺N后不会破坏阳极氧化形成的高有序纳度米管阵列,而且N的引入促进了TiO2纳米管在低温下由锐钛矿相向金红石相的转变.N掺杂样品XPS中出现了结合能位于399.7 eV的峰,该峰来源于TiO2的间隙氮杂质,显示此方法在TiO2纳米管中实现了有效的N的掺杂.
其他文献
  利用红外光谱结合二阶导数谱对肉苁蓉原药材及其醇提物进行了研究。结果表明:(1)管花肉苁蓉中与松果菊苷和毛蕊花糖苷有关的吸收峰1692,1631,1604,1516,1447,1158,812cm-1
会议
会议
会议
会议
会议
会议
会议
会议
  碳化矽材料對於科技上有很大的重要性,尤其是在需要高温,高频,和高能量的電子装置上。我们在這裡分析了一系列的氮参雜的n-type 6H碳化矽塊材結構。獲得了有趣的結果並進行