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半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。