【摘 要】
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GaAs 材料由于其优越的光电特性,在光电领域被广泛应用,但是目前对其光电特性的检测方法比较复杂,常常需要制备接触电极,而使材料表面被破坏。本文利用太赫兹时域光谱技术【1】研究GaAs 样品在太赫兹波段的光电特性,这种探测技术是非接触式的无损探测。
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GaAs 材料由于其优越的光电特性,在光电领域被广泛应用,但是目前对其光电特性的检测方法比较复杂,常常需要制备接触电极,而使材料表面被破坏。本文利用太赫兹时域光谱技术【1】研究GaAs 样品在太赫兹波段的光电特性,这种探测技术是非接触式的无损探测。
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