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本文从另一途径改善BFO薄膜性质。笔者在电极BLF/基片界面添加氧化缓冲层的方法,构筑非铁电层/铁电层/非铁电层的多铁性异质结构,抑制多铁性材料氧空位的不利影响。BLF脉冲激光沉积法生长(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底,利用BST为过渡层。初步结果表明,与单层BLF薄膜相比,BST/BLF/BST异质结铁电性质有较大改善,并讨论了顺电(BaSr)TiO3缓冲层对(Bi,La)FeO3多铁性薄膜的性能影响。