InTiZnO薄膜晶体管的制备及O2Ar对其电学性能的影响

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anwencheng2005

【摘要】

：

采用脉冲激光沉积技术在P型Si衬底上生长Al2O3栅绝缘层,利用射频磁控共溅射技术制备非晶InTiZnO半导体薄膜作为沟道有源层,成功制备了底栅结构的薄膜晶体管.

【作者】

：

刘奥刘国侠单福凯朱慧慧谭慧月张倩耿广州 B.C.Shin

【机构】

：

青岛大学物理科学学院,青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地青岛大学物理科学学院,青岛大学纤维新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地;ElectronicCeramicsCenter,Do

【出处】

：

第十九届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2013年7期

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