压力诱导下双层六方氮化硼电子特性和摩擦性能的研究

来源 :第十一届全国表面工程大会暨第八届全国青年表面工程学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gift19852003
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  六方氮化硼(h-BN)因其优良的化学稳定性,润滑性,耐热性,特别是电子性能而受到广泛的关注,而调控其带结构如直接带隙向间接带隙转变可能在纳米电子装置以及激光装置中有很大的应用前景.压力作为一种简单可行的手段不仅可以有效的调控h-BN的带隙,而且还会直接影响其摩擦性能.我们研究了三种对称性下h-BN的电子性能以及由对称性I到ⅡI滑动过程中产生的摩擦力.计算结果表明对称性I和Ⅱ下,带隙随压力的增大先减小后增大再减小,这与电场调控下带隙单调减小的规律是非常不一样的,而对称性ⅡI下带隙随压力的增大单调减小.当压力达到42.9%(对称性I)和34.3%(对称性Ⅱ)时,h-BN由直接带隙向间接带隙转变,导致其由绝缘体向半导体过渡.其摩擦系数随压力的增大先减小后增大,在FN=5nN时达到一个最小值0.025.h-BN在压力诱导下的电子特性和摩擦学性能的上述变化是由离子型双层六方氮化硼间的静电相互作用导致的.以上研究结果可能会对从原子尺度理解h-BN在宏观尺度下优异的摩擦学性能并拓宽其在纳米器件上的应用领域提供理论基础.
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