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该文提出一种与结隔离智能功率集成电路（Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ ＩＣ．，ＳＰＩＣ）工艺兼容的双降场区ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳ结构，二维器件模拟表明该结构能有效地降低高压ＬＤＭＯＳ的表面电场，提高其耐压。
双降场区RESURF LDMOS
【摘 要】
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该文提出一种与结隔离智能功率集成电路（Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ ＩＣ．，ＳＰＩＣ）工艺兼容的双降场区ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳ结构，二维器件模拟表明该结构能有效地降低高压ＬＤＭＯＳ的表面电场，提高其耐压。
【机 构】
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科技大学微电子所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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