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特纳(Turner)机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释.通过本人研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,硅片刻蚀的表面形貌控制取决于硅衬底与氟化物溶液反应界面间的平衡反应,由水分解或OH-引发的自上而下刻蚀都有利于均匀表面的形成,而硅原子的直接分解同时有利于多孔硅的形成,并且表面化学腐蚀形成多孔膜必然伴随着电荷载流子动力学过程.