【摘 要】
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采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过溅射不同厚度的MgO薄膜探索提高MgO晶化质量的方法.利用X射线衍射(XRD)分析发现,在同一条件下溅射生长MgO薄膜均在42.5°出现衍射峰,不同厚度的MgO薄膜衍射得到的峰强是不同的,即得到的晶化质量不同.对样品同时进行400℃真空退火,退火后MgO薄膜晶化质量有一定的改善,MgO薄膜厚度越大,改善程度越大.
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071 西安科技大学电气控制学院,陕西 西安 710
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过溅射不同厚度的MgO薄膜探索提高MgO晶化质量的方法.利用X射线衍射(XRD)分析发现,在同一条件下溅射生长MgO薄膜均在42.5°出现衍射峰,不同厚度的MgO薄膜衍射得到的峰强是不同的,即得到的晶化质量不同.对样品同时进行400℃真空退火,退火后MgO薄膜晶化质量有一定的改善,MgO薄膜厚度越大,改善程度越大.
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