脉冲直流等离子体增强化学气相沉积制备Si-C-N纳米超硬薄膜研究

来源 :第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HUANGKAO2
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法,采用SiCl4/CH4/N2/H2/Ar混合气体在高速钢试样表面沉积出Si-C-N薄膜材料.结合XRD、XPS、HRTEM、SEM、Hv分析发现:在本实验条件下制备的Si-C-N薄膜为纳米晶和非晶组成的复合相结构,其中,纳米晶具有类似于h-Si3N4的结构,并弥散分布在SiCN非晶基体上,晶粒尺寸在3-25 nm范围内,XPS显示薄膜中含有C-C、C=N、Si-N和C-N的共价键结构,但未发现有C-Si键存在;PCVD沉积的Si-C-N薄膜硬度在40~60 GPa之间。
其他文献
用人工加速的方法研究了高温对环氧胶粘剂的影响.用万能试验机测试发现经过高温老化后,环氧胶粘剂的胶粘强度在初期虽有所增加,但随着老化时间的延长则明显降低.傅利叶交换红
会议
七月的上海,骄阳似火。而刘亭博士对伟大社会主义祖国的热爱,犹如七月的骄阳,火热、炽烈。刘亭博士——美国加州圣玛琍大学工商管理系教授、“美灵顶”咨询公司顾问,这次应
山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯山江清雯v山江清雯@杨健喜 Shan
期刊
本文介绍了一种采用新型体硅微机械加工工艺研制的低成本光通信用微机械可变光衰减器.根据光通信系统对可变光衰减器的插入损耗低、动态衰减范围大、响应时间短等技术要求,对
一九八五年一月十七日、我院举行了第五届教学、科研学术年会,学院领导沈国荣、袁奎荣、张秋光、宋书义等同志及各系、处、部负责同志参加了大会。 本届年会共收到学术论文1
简述了预曝光在极坐标激光直写法制作连续浮雕微结构技术中的作用原理及应用,研究了预曝光技术对于连续浮雕微结构制作的影响规律,提出了在极坐标激光直写法制作连续浮雕微结
介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率的因素及原因.最后对用硅烷作反应气体
采用自行研制的实验装置,用磁过滤阴极弧等离子体结合二次氧化法,在氧化铝模板上制备类金刚石纳米尖点阵列膜.并利用红外光谱(IR)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)
会议
据悉,作为建设部的首个试点工程,去年7月份,郑州市政府组建公共住宅公司,负责并垄断郑州经济适用房和廉租房市场的建设,公司将按照公司法市场化运作,不增加财政风险和负担,在
用电弧离子镀方法获得了Ti1-xAlxN纳米晶薄膜;考察了沉积过程中N2流量对薄膜沉积速率、化学成分、晶粒尺寸以及微观结构的影响.结果表明,制备的Ti1-xAlxN薄膜主要由游离态á-
会议