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5. TFEL中非晶SiO<,2>的电子迁移率

TFEL中非晶SiO<,2>的电子迁移率

来源 :第八届全国发光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuany06

【作 者】

：

娄志东 徐征 徐春祥 

【机 构】

：

大学应用物理系

【出 处】

：

第八届全国发光学术会议

【发表日期】

：

1998年期

【关键词】

：

非晶 

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