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激光诱导合成化合物半导体材料的反应区合成温度的测控

来源 :中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：julyanjust

【作 者】

：

黄钊洪 

【机 构】

：

华南师范大学量子电子学研究所

【出 处】

：

中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议

【发表日期】

：

1993年期

【关键词】

：

激光 诱导合成 化合物半导体材料 反应区 合成温度 

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