【摘 要】
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本文采用RF反应磁控溅射技术,探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术.通过大量的工艺实验和SEM,XRD,SIMS,XPS等测试分析手段对影响WN,WN/GaAs特性的溅射条件进行了系统研究.揭示
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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本文采用RF反应磁控溅射技术,探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术.通过大量的工艺实验和SEM,XRD,SIMS,XPS等测试分析手段对影响WN,WN/GaAs特性的溅射条件进行了系统研究.揭示了溅射气压和N分压是影响WN薄膜特性的主要因素,通过工艺条件的优化,采用独特的两步溅射和气压渐变技术制备的W/WN膜,既减少电子轰击造成的GaAs表面损伤,又减少WNx与W之间的应力.制备的W/WN膜厚为360nm,方块电阻为0.51Ω.利用SiO<,2>作为退火包封层,780℃ 10s快速退火后,W/WN能够保持好的稳定性,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的GaAs MESFET.
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