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本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导通电阻小于 13 毫欧，VDS大于150V，ID大于150A的好结果。
150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究
【摘 要】
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本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导通电阻小于 13 毫欧，VDS大于150V，ID大于150A的好结果。
【机 构】
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清华大学电力电子厂102201
【出 处】
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2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会
【发表日期】
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2008年4期
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