论文部分内容阅读
掺Ga或共掺多晶硅片可以显著抑制背钝化电池的光致衰减，其中掺Ga电池的衰减更小。但由于掺Ga硅片质量不均，量产中更多是采用共掺硅片。通过电注入或光注入诱导氢钝化技术可以进一步改善多晶背钝化电池的光致衰减。目前制程工艺优化-改善光衰在电池和组件端都有一定的效果，后续还有进一步的优化空间目前量产过程中，多晶背钝化技术路线有:共掺硅片/电注入处理+掺B电池/电注入处理+共掺电池，都可以很好解决多晶背钝化的光衰问题，注入处理+共掺电池最小，且光衰稳定性优于常规工艺的组件，户外暴晒350天后组件LID值为1.81。因此，正泰从硅片、工艺制程改善和成品电池处理三个角度致力于多晶PERC光衰的改善。