过渡金属氧化物LaAlO3/SrTiO3界面二维电子态的研究

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiuxiang8288
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  金属氧化物界面因其独特的强关联性质引起研究者的广泛关注[1-3]。尤其(001)LaAlO3/SrTiO3界面,此体系存在高迁移率的准二维电子气[4-5],并且也观测到了超导[6]、铁磁[7]、超导铁磁共存[8]以及光致电导[9]等奇特物理现象,具有丰富的基础物理研究意义和巨大的潜在应用价值。
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弱自旋轨道耦合作用以及极弱的超精细作用使石墨烯具有了很长的自旋弛豫时间,因此石墨烯成为了自旋电子物理学研究的热门材料。目前的大部分工作都集中在平面内的两电极和非局域的四电极石墨烯自旋阀输运性质研究上,这种平面结构通过门压调控改变载流子浓度可以控制自旋信号的大小,而且无论是CVD石墨烯,剥离的石墨烯还是碳化硅外延生长的石墨烯都可以观察到明显的自旋阀信号。
单分子磁体因具有独特的量子磁性被认为是信息存储和量子计算的理想载体[1]。但在具体的应用过程中,必须把它们沉积到金属或半导体表面,或桥联于两金属电极之间,并能对单个分子进行表征[2,3]。过去人们发现,单分子磁体(如Mn12)在衬底表面很容易聚集成岛,或分解成更小的团簇。
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Although three-dimensional topological insulators(TI)exhibited good structural and electronic qualities,they were not very suitable for transport studies.
Using computational method to predict images taken by a helium ion microscope (HIM)and applying this to the images of graphene are important for developing nano-scaled devices[1].
会议
Organic semiconductors(OSCs)have attracted extensive attentions due to lower production cost,lighter weight,large-scale and flexibility.