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本文在介绍几种铁电薄膜制备技术的基础上，着重介绍用元素替代方法对层状钙钛矿铁电Bi4Ti3O12（BTO）薄膜进行改性研究。用Nd或La在A位替代Bi，在B位用Nb替代Ti。在(111)Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上用MOD方法得到Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜，其Pr=27μC/cm2,Ec为157kV/cm，且在1.44×1010开关周期几乎无疲劳。而用PLD制备的Bi3.25-x/3La0.75Ti3-xNbxO12薄膜得到Pr=25μC/cm2,Ec=120kV/cm ，109循环周期不疲劳的性能，适于压电、电光、微驱动器、铁电存储应用。表明元素替代是得到铁电薄膜新材料的一个好方法。