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InP基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor(HEMT)以其优越的电气性能,在高速、高频领域里具有重要应用前景.本工作所用生长系统为V90型GSMBE系统。衬底是“epi-ready”掺Fe一InP (100)衬底。固态源Ga、In的纯度为7N,Al为6N。Si是N型掺杂剂。GSMBE生长外延结构时，Si-b掺杂技术是本文的研究重点。通过分别调整Si的掺杂温度和掺杂时间，研究si-delta掺杂行为对二维电子气和迁移率的影响。确定Si的最佳掺杂温度在1260-1260℃之间，掺杂时间在6或7s。