【摘 要】
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本文通过对本课题组用物理气相传输（PVT）法生长的6H-SiC单晶锭进行切割,对切割下来的晶片采用碳化硼（B1C）进行粗磨和精磨,精磨后台阶仪测试样品表面平均粗糙度Ra为0.22μm,粗抛光
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本文通过对本课题组用物理气相传输（PVT）法生长的6H-SiC单晶锭进行切割,对切割下来的晶片采用碳化硼（B1C）进行粗磨和精磨,精磨后台阶仪测试样品表面平均粗糙度Ra为0.22μm,粗抛光采用w1的金刚石微粉悬浮液,原子力显微镜（AFM）测得5×5μm范围内RMS为1.5nm。为了进一步提高晶片的表面质量,降低次表面损伤层,对粗抛光后的样品进行化学处理,并采用外购悬浮胶体SiO2溶液进行精抛光。
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