【摘 要】
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本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析,确定了合理的结构参数和先进的工艺流程.选用合适的电阻率和厚度的N型直拉硅单晶片,采用磷硼纸源扩散,精确控制
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
【出 处】
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2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会
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本文对高压快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析,确定了合理的结构参数和先进的工艺流程.选用合适的电阻率和厚度的N型直拉硅单晶片,采用磷硼纸源扩散,精确控制基区宽度形成P+NN+结构;采用铂液态源扩散降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间trr;化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压;玻璃钝化保护PN结减小表面污染从而降低表面漏电流提高耐压;双面镀镍金进行金属化等技术.得到较为理想的反向击穿电压VBR,正向压降VF,反向恢复时间trr三参数之间的折衷.器件性能优良,可靠性高,样品通过150°C/ 168小时的高温反偏实验.
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