【摘 要】
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本文描述以集总电容(1umped capacitance)法来量测材料於射频及微波频率(0.1GHz～1GHz)下之介电常数(permittivity)。待测材料样品置於由7mm精密接头改装之测试夹具,形成一单埠网路;由特性阻抗及藉由网路分析仪量测之反射系数,可计算出此单埠网路之集总阻抗(1umped impedance)。此集总阻抗之等效电路由杂散阻抗(包括测试夹具之电感、电阻、对地电容及对地导
【机 构】
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工業技術研究院量測技術發展中心 國家度量衡標準實驗室 國立聯合大學電子工程系
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本文描述以集总电容(1umped capacitance)法来量测材料於射频及微波频率(0.1GHz～1GHz)下之介电常数(permittivity)。待测材料样品置於由7mm精密接头改装之测试夹具,形成一单埠网路;由特性阻抗及藉由网路分析仪量测之反射系数,可计算出此单埠网路之集总阻抗(1umped impedance)。此集总阻抗之等效电路由杂散阻抗(包括测试夹具之电感、电阻、对地电容及对地导纳)与待测材料样品集总电容所组成,我们以详细的步骤量测各杂散阻抗成份以精确的萃取出待测材料样品之集总电容。最後,由此待测材料样品之电容及几何尺寸,计算出其介电常数。为了验证此集总电容法之准确性,我们将以介质共振腔(dielectric resonator)法来进行量测结果之比较。
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