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对薄层高阻外延片的现状与趋势进行了分析，提出了本研究的技术指标，对疏水效应、退火效应等四项关键技术进行了研究，对应用前景进行了探讨。
薄层高阻外延工艺技术研究
【摘 要】
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对薄层高阻外延片的现状与趋势进行了分析，提出了本研究的技术指标，对疏水效应、退火效应等四项关键技术进行了研究，对应用前景进行了探讨。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第24研究所,重庆400060
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年11期
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