【摘 要】
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Gd-Si-Ge 合金是少数几个在室温下具有巨磁热效应的磁致冷材料。为了揭示其磁驱动相变特性，采用磁场下的同步辐射X 射线衍射技术研究了不同成分的Gd-Si-Ge 合金在冷却和加
【机 构】
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东北大学 材料电磁过程研究教育部重点实验室,辽宁沈阳 110004
【出 处】
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第十四届全国青年材料科学技术研讨会
论文部分内容阅读
Gd-Si-Ge 合金是少数几个在室温下具有巨磁热效应的磁致冷材料。为了揭示其磁驱动相变特性，采用磁场下的同步辐射X 射线衍射技术研究了不同成分的Gd-Si-Ge 合金在冷却和加热过程中晶体结构和点阵常数。结果表明，施加2T 的磁场可使富Ge 成分合金样品的结构相变温度升高10K 左右。用超导量子磁强计测定了其M-T 曲线和不同温度下的M-H 曲线，在2T 磁场下获得的最大磁熵变为16J/(kg·K)。
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