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光电倍增管放置在放射性源场中,探测器中形成比暗流高3个多量级的强直流本底,本工作在这种情况下,对CHφT3型光电倍增管测量半宽度约为2.4μs的宽脉冲信号时,输出波形特征量(前沿、半高宽、后沿、面积)的变化情况进行了实验测量.
CHφT3型光电倍增管在强直流本底环境中的应用
【摘 要】
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光电倍增管放置在放射性源场中,探测器中形成比暗流高3个多量级的强直流本底,本工作在这种情况下,对CHφT3型光电倍增管测量半宽度约为2.4μs的宽脉冲信号时,输出波形特征量(
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所(四川绵阳)中国工程物理研究院电子工程研究所(四川绵阳)
【出 处】
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全国第四届核仪器及其应用学术会议
【发表日期】
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2003年9期
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