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该文利用美国RM-50红外微热像仪的最佳技术性能。采用校准和外推的方法。成功地 精确测量了栅长1微米GaAs MESFET的沟道温度分布。
GaAs MESFET的红外温度分布精确测量
【摘 要】
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该文利用美国RM-50红外微热像仪的最佳技术性能。采用校准和外推的方法。成功地 精确测量了栅长1微米GaAs MESFET的沟道温度分布。
【机 构】
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北京工业大学
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十届学术年会
【发表日期】
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2000年期
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