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全N-VMOSFET输出IGBT驱动电路
全N-VMOSFET输出IGBT驱动电路
来源 :第五届全国电路理论及应用学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lewy540
【摘 要】
:
研制了具有全N沟道VMOSFET的推挽输出电路,它能高速驱动大功率IGBT模块,并具有过流“软关断”保护功能。
【作 者】
:
孙奉娄
何翔
【机 构】
:
民族学院电子工程系(武汉)
【出 处】
:
第五届全国电路理论及应用学术研讨会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
输出电路
高速驱动
保护功能
软关断
大功率
模块
过流
沟道
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研制了具有全N沟道VMOSFET的推挽输出电路,它能高速驱动大功率IGBT模块,并具有过流“软关断”保护功能。
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