【摘 要】
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The blooming optoelectronics market has urgent demands for the high efficiency of light-emitting diodes (LEDs) based on the gallium nitride (GaN) material system.Due to the large difference in the lat
【机 构】
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Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education & Shaanxi Key Labor
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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The blooming optoelectronics market has urgent demands for the high efficiency of light-emitting diodes (LEDs) based on the gallium nitride (GaN) material system.Due to the large difference in the lattice constant and thermal expansion coefficient,GaN layers grown on fiat sapphire substrate exhibit substantial biaxial stress and high threading dislocation densities (TDD).Currently,patterned sapphire substrate (PSS) technique has proved to be an effective method in reducing TDD in GaN film 1,2.By using of PSSs,not only increases the internal quantum efficiency (IQE) but also improves the light extraction efficiency (LEE) of GaN-based LEDs,because the uneven interface between sapphire and GaN film.
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作为第三代半导体材料的典型代表,氮化物材料在击穿电场、电子饱和迁移速度、热导率、抗辐射以及能量弛豫时间等方面具有更大的优势.基于子带间跃迁的GaN基量子阱红外探测器可实现从1微米到亚毫米波段的全红外光谱探测.同时,氮化物具有紫外扩展特性可制备单片集成的紫外-红外双色探测器,实现超低虚警率、超快响应时间、更小元器件体积以及更高分辨率成像.氮化物材料中极化诱导的内建电场是目前限制载流子纵向输运、影响红
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