【摘 要】
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利用溶剂热法我们成功合成了三棱柱状的ZnGa2O4荧光粉.采用XRD,SEM,TEM,HRTEM,EDS,FT-IR,UV-vis和PL技术对ZnGa2O4及ZnGa2O4：Mn2+样品的形貌和发光性质进行了表征.合成条件对产物的形貌有较大影响,如Zn： Ga,反应时间和温度等,其中反应时间对产物的形成起关键作用.在对产物的发光性质研究中,我们得到了一个在400 nm附近的宽带发射峰,归属于氧缺陷
【机 构】
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中山大学化学与化学工程学院,广东,广州,5102751
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利用溶剂热法我们成功合成了三棱柱状的ZnGa2O4荧光粉.采用XRD,SEM,TEM,HRTEM,EDS,FT-IR,UV-vis和PL技术对ZnGa2O4及ZnGa2O4：Mn2+样品的形貌和发光性质进行了表征.合成条件对产物的形貌有较大影响,如Zn： Ga,反应时间和温度等,其中反应时间对产物的形成起关键作用.在对产物的发光性质研究中,我们得到了一个在400 nm附近的宽带发射峰,归属于氧缺陷(V ·o)到Ga3+离子的电荷转移.产物的光致发光光谱受温度(3k-300k)影响,发射光谱的主峰从470nm红移到495nm.ZnGa2O4： Mn2+产物显示了Mn2+的特征绿色发射(λ=503nm),Mn2+离子浓度为1.4 mol％时发光强度达到最大.
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