论文部分内容阅读
原料为物理法提纯多晶硅(UMG)的直拉法太阳能级单晶硅相对于西门子法提纯的Cz单晶硅来说是降低太阳电池成本的一种选择，尽管材料纯度低于后者，但是这种材料在太阳电池的生产中也具有相当的转换效率。本文优化了物理法提纯的单晶硅材料的扩散条件，调整了发射极的剖面分布。量子效率测试结果显示电流的衰减主要源于太阳电池在长波部分的响应，而经过暗室中100oC的退火之后，这部分波长的响应得以恢复。因此，造成衰减的原因在于体材料在经过光照之后形成的缺陷能级诱发了少数载流子的体内复合，降低了少子扩散长度。