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Dry etching of(-201)bulk β-Ga2O3 using BCl3/Ar with high etch rate and vertical sidewalls
【机 构】
:
Dept.of Materials Science and Engineering,Cornell University,Ithaca,NY 14850,USA
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年4期
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