【摘 要】
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本文利用CMOS双层金属布线工艺制作基于SOI衬底的平面集成电感.实验结果表明基于集成电感性能明显优于体硅集成电感,其品质因数值和自谐振频率都远远高于体硅电感.实验结果同
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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本文利用CMOS双层金属布线工艺制作基于SOI衬底的平面集成电感.实验结果表明基于集成电感性能明显优于体硅集成电感,其品质因数值和自谐振频率都远远高于体硅电感.实验结果同时表明,基于SOI衬底的圆形电感较矩形电感提高了电感的品质因数,并减小了电感所占芯片面积.同时,本文比较了电感主要设计参数金属宽度和金属间距对电感自谐振频率和品质因数的影响;在电感衬底增加shield结构可以提高电感品质因数,自谐振频率也略有提高.最后本文比较了电感串扰噪声,由实验结果可见当电感间距超过100μm时,电感之间的耦合噪声影响变得很小.本文所作的研究为基于SOI的射频集成电路设计提供了一个指导方向.
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