锗基器件的室温大磁阻效应

来源 :第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lz274458795

【摘要】

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目前在许多非磁性半导体中观察到了反常磁阻效应,例如半金属铋,石墨烯,砷化镓,锑化铟,和硅[1].和传统的磁性材料相比,研究非磁性器件的磁阻效应有以下两个优点:一是在非磁性

【作者】

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陈娇娇章晓中朴红光罗昭初

【机构】

：

清华大学材料学院,北京100084

【出处】

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

【发表日期】

：

2014年12期

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目前在许多非磁性半导体中观察到了反常磁阻效应,例如半金属铋,石墨烯,砷化镓,锑化铟,和硅[1].和传统的磁性材料相比,研究非磁性器件的磁阻效应有以下两个优点:一是在非磁性材料中可以观察到较大的磁阻值;二是其磁阻和外加磁场成线性关系,并且在高场下也不会饱和.在非磁性材料中,锗是常见的半导体材料,本文主要介绍锗基器件的室温磁阻特性,希望拓展未来半导体器件的发展道路.

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