可调制图形化还原氧化石墨烯研究

来源 :2016北京微电子研究生学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Lavenderws
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  Graphene is the most widely investigated two-dimensional material due to its prominent characteristics including ultra-high mobility and thermal conductivity, high Youngs modulus and transparency.
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我们基于渗流理论和福斯特共振转移率建立了有机太阳能电池激子扩散长度的物理模型。我们的模型与蒙特卡洛模拟结果经行比对,被不同温度下的实验数据所验证。材料的无序度和温度特性在模型中得到很好的描述。基于模型,激子浓度与扩散长度的关系被讨论,具体是入射光强较大时会增加激子扩散长度。另外,指数分布的态密度能在低激子浓度下替代高斯分布,从而得到解析的扩散长度模型。
晶圆键合技术是异质结构制造,3D集成,封装以及层转移(如SOI)中的关键技术,同时在MEMS当中也有重要地位。传统的晶圆键合方法如热压键合法,通常需要比较高的键合温度。但由于热膨胀系数不匹配和后续工艺的要求,键合温度不宜超过200摄氏度。为了促进MEMS键合工艺的发展和更多的应用,提出了一种使用旋涂水玻璃粘结剂层和点压键合技术的混合晶圆键合方法。研究了水玻璃键合的机理,并讨论了本键合方法中最重要的
全景拼接得到的图像其边界往往是不规则的,绝大多数全景拼接算法选择直接对全景图像进行裁剪,以获得拥有矩形边界的标准图像,但这会丢失部分图像中的关键信息并以减小全景图像的视野为代价。针对以上问题,提出一种基于亚像素缝雕刻的图像整形算法。首先采用三次样条插值和图像修复算法对图像的不规则边界进行平滑;然后以图像当前边界和矩形目标边界位置之差的归一化值为权重,在0~1个像素范围内拉伸或压缩最优缝上的每一个像
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在空间辐射环境中,存在着大量的高能粒子,比如:质子,电子及重离子等。高能粒子会改变MOSFET中氧化层特性继而产生辐射效应,这些辐射效应将严重影响空间电子系统的可靠性。而面相空间应用的电子器件,它们的总剂量效应也是研究的重点。磁随机存储器MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory)是一种新型的非易失性存储器,相比于传统型存储器具有高速度、高集成度、低功
针对二进制偏移载波(Binary Offset Carrier,BOC)调制信号自相关多峰特性引起的信号捕获模糊性问题,提出了一种子相关相乘边峰消除技术。根据BOC子相关函数的特性,通过将不同子相关函数相乘获得边峰消除能力,并且为了充分利用接收信号,进一步提高捕获性能,提出了相应的优化算法。分析对比了提出算法的实现复杂度和基于恒虚警率准则的峰值发现概率,对GalileoE1C中频采样信号的处理结果
本文首次详细研究在介质隔离多栅纳米器件(FOI-FinFET)器件上源漏全金属化工艺.采用Ni (Pt)金属将源漏形成全金属化的fin,使器件接触电阻分别减小10倍和1倍,同时没有带来明显漏电流增加.通过采用全金属化源漏工艺,使20 nm栅长FOI FinFET器件电流增加大约30倍,N型和P型开态电流分别达到547 μA/μm和324 μA/μm.该器件比传统FinFET器件亚阈值摆幅、亚阈值斜
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