【摘 要】
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目前,一个困扰晶体制造商的最大问题是低噪声晶体的大批量生产与测试.在频率年会汇编的文献中曾有报道:生产中预测晶体的相位噪声的有效方法,是测量晶体对激励电平的依赖(即
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目前,一个困扰晶体制造商的最大问题是低噪声晶体的大批量生产与测试.在频率年会汇编的文献中曾有报道:生产中预测晶体的相位噪声的有效方法,是测量晶体对激励电平的依赖(即晶体的DLD)特性.它说明当晶体的谐振电阻随着激励电平的增加而变化时,晶体的相位噪声也有相同的变化规律.这样导致我们相信通过减小晶体电阻的DLD参数,就可能达到降低晶体的相位噪声的目的.人们认为晶片表面的沾染物是导致晶体DLD现象的原因之一.本文通过测量大批同一型号的100MHz的晶体,验证了晶体的DLD和相位噪声的相互关系.测量了不同外型、不同频率的晶体表面沾染物对DLD和相位噪声的影响.同时,还测量了不同的测试设备对DLD参数的影响.实验发现:对于各种不同外型的晶体,晶体的DLD参数不是筛选晶体短期稳定度最有效的方法.
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