过渡金属二硫化物及其超晶格的电子结构研究

来源 :第十三届国际凝聚态理论与计算材料学会议(The 13th International Conference on Con | 被引量 : 0次 | 上传用户：lsy5

【摘要】

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　　单层过渡金属二硫化物(TMDC)是近年来兴起的重要半导体材料,具有良好的光学和电学性质。与通常的单层材料不同,我们研究了由MoS2和WSe2组成的半导体超晶格的电子结构及其

【作者】

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赵永红杨凤王键郭鸿季威

【机构】

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四川师范大学,成都,610101四川师范大学,成都,610101;中国人民大学,北京,100872香港大学,香港McGillUniversity,Canada,H3A2T8中国人民大学,北京,1008

【出处】

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第十三届国际凝聚态理论与计算材料学会议(The 13th International Conference on Con

【发表日期】

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2014年7期

【关键词】

：

过渡金属二硫化物半导体超晶格直接带隙

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　　单层过渡金属二硫化物(TMDC)是近年来兴起的重要半导体材料,具有良好的光学和电学性质。与通常的单层材料不同,我们研究了由MoS2和WSe2组成的半导体超晶格的电子结构及其随应力的改变。与单层材料相同,所研究的超晶格具有稳定的直接带隙,且直接带隙可以通过改变超晶格的相对厚度来调制。研究结果显示,MoS2/WSe2超晶格具有良好的红外光电性质。

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