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高性能单模耦合脊量子级联激光器阵列
【机 构】
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中科院半导体研究所材料重点实验室,北京,100083
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
Performance Variation in Mono-Layer MoS2 Tunnel Transistors Due to Gate Oxide Thickness Fluctuations
会议
半导体量子点是三维受限的零维结构，具有类似原子的分立能级，可以利用光激发分立能级，产生电子空穴对，同时电场磁场调制其能级，便于相干操控，由于其在量子信息科学领域具有良好的应用价值，近年来受到了广泛的关注。对单量子点中电子空穴波函数的精确调制，是实现量子信息计算与自旋比特的迫切需要。